О модели
Описание
onsemi NVD360N65S3T4G — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,36Ом; Рассеиваемая мощность — 83Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 16,8нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 25А.
Перед заказом проверьте артикул NVD360N65S3T4G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVD360N65S3T4G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
