onsemi
· Полупроводники
onsemi NTMFD5C650NLT1G — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: NTMFD5C650NLT1G
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 111А; Idm: 502А; 62Вт; DFN8
Ток стока: 111 А · Монтаж: SMD · Корпус: DFN8 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
onsemi NTMFD5C650NLT1G. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DFN8; Напряжение сток-исток — 60В; Ток стока — 111 А.
Сопротивление в открытом состоянии — 4,2мОм; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 62Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 37нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 502А.
Перед заказом проверьте артикул NTMFD5C650NLT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 111 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DFN8
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NTMFD5C650NLT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
