onsemi
· Полупроводники
onsemi NTMD3P03R2G — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: NTMD3P03R2G
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -3,05А; Idm: -12А; 1,25Вт
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
onsemi NTMD3P03R2G. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -3,05А.
Сопротивление в открытом состоянии — 85мОм; Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 1,25Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 16нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -12А.
Перед заказом проверьте артикул NTMD3P03R2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NTMD3P03R2G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
