onsemi
· Полупроводники
onsemi NTHD3100CT1G — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: NTHD3100CT1G
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Монтаж: SMD · Корпус: ChipFET · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
onsemi NTHD3100CT1G. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — ChipFET; Напряжение сток-исток — 20/-20В; Ток стока — 3,9/-4,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 115/110мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 7,4нC; Вид транзистора — дополнительная пара; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12/±8В.
Ток стока в импульсном режиме — 12А.
Перед заказом проверьте артикул NTHD3100CT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- ChipFET
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NTHD3100CT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
