onsemi · Полупроводники

onsemi NTH4L080N120SC1 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: NTH4L080N120SC1

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

Производитель автоматикиonsemi
АртикулNTH4L080N120SC1
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 21 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

onsemi NTH4L080N120SC1 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi NTH4L080N120SC1 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 21 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-4.

Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 80мОм; Рассеиваемая мощность — 28Вт; Полярность — полевой.

Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 56нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — -15...25В; Ток стока в импульсном режиме — 125А.

Перед заказом проверьте артикул NTH4L080N120SC1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
21 А
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
NTH4L080N120SC1
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.