О модели
Описание
onsemi NTE4151PT1G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC89; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -0,76А.
Сопротивление в открытом состоянии — 1Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 313мВт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 2,1нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±6В.
Перед заказом проверьте артикул NTE4151PT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC89
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NTE4151PT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
