О модели
Описание
onsemi NSBC115EDXV6T1G — транзистор.
Тип транзистора — NPN x2; Ток коллектора — 0,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT563.
Напряжение коллектор-эмиттер — 50В; Коэффициент усиления по току — 80...150; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — биполярный.
Вид транзистора — BRT; резистор базы — 100кОм; резистор эмиттер - база — 100кОм.
Перед заказом проверьте артикул NSBC115EDXV6T1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT563
- Тип транзистора
- NPN x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NSBC115EDXV6T1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
