onsemi · Интегральные микросхемы

onsemi NCV20092DR2G — Операционные усилители SMD

MPN / артикул: NCV20092DR2G

IC: операционный усилитель; 350кГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; SO8; 4мВ

Производитель автоматикиonsemi
АртикулNCV20092DR2G
РазделИнтегральные микросхемы
Единицашт

Полоса передаваемых частот: 350000 Гц · Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: операционный усилитель · Монтаж: SMT · Корпус: SO8 · Тип товара: Операционные усилители SMD

Фото товара

onsemi NCV20092DR2G — Операционные усилители SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi NCV20092DR2G — операционный усилитель.

Тип микросхемы — операционный усилитель; Полоса передаваемых частот — 350 кГц.

Монтаж — поверхностный (SMT); Корпус — SO8.

Рабочая температура — -40...125°C; Входное напряжение смещения — 4мВ; Характеристики интегральных схем — low power; rail-to-rail; Скорость нарастания напряжения — 0,15В/мкс.

Входной ток смещения — 1пА; Поляризация входного тока — 1пА; Диапазон напряжения питания — 1,8...5,5В DC.

Перед заказом проверьте артикул NCV20092DR2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Полоса передаваемых частот
350000 Гц
Количество каналов
2
Тип микросхемы
операционный усилитель
Монтаж
SMT
Корпус
SO8
Единица продажи
шт
Артикул производителя
NCV20092DR2G
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.