onsemi
· Интегральные микросхемы
onsemi NCP5183DR2G — Драйверы MOSFET/IGBT
MPN / артикул: NCP5183DR2G
IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -4,3÷4,3А; 9÷18ВDC; 600В
Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
О модели
Описание
onsemi NCP5183DR2G. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 9...18В DC.
Выходной ток — -4,3...4,3А; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 40нс; Время падения импульса — 40нс.
Вид микросхемы — high-side; low-side; контроллер затвора; Топология — полумост MOSFET; Класс напряжения — 600В.
Перед заказом проверьте артикул NCP5183DR2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NCP5183DR2G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
