onsemi
· Интегральные микросхемы
onsemi NCP5111DR2G — Драйверы MOSFET/IGBT
MPN / артикул: NCP5111DR2G
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
onsemi NCP5111DR2G. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 10...20В DC.
Выходной ток — -500...250мА; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 160нс; Время падения импульса — 75нс.
Количество каналов — 2; Защита — от снижения напряжения UVP; Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора; Топология — полумост IGBT; полумост MOSFET.
Класс напряжения — 600В.
Перед заказом проверьте артикул NCP5111DR2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NCP5111DR2G
Материалы
Документация
Техническое описание: NCP5111EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
