onsemi
· Полупроводники
onsemi MUN5216DW1T1G — Транзисторы NPN SMD
MPN / артикул: MUN5216DW1T1G
Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 100мА; 385мВт; 4,7кОм
Ток коллектора: 0,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Корпус: SC88 · Тип транзистора: NPN x2 · Тип товара: Транзисторы NPN SMD
О модели
Описание
onsemi MUN5216DW1T1G — транзистор.
Тип транзистора — NPN x2; Ток коллектора — 0,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SC88; SOT363.
Напряжение коллектор-эмиттер — 50В; Коэффициент усиления по току — 160...350; Рассеиваемая мощность — 0,385Вт; Полярность — биполярный.
Вид транзистора — BRT; резистор базы — 4,7кОм.
Перед заказом проверьте артикул MUN5216DW1T1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SC88, SOT363
- Тип транзистора
- NPN x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MUN5216DW1T1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
