onsemi
· Полупроводники
onsemi MMBZ33VALT1G — Диоды защитные - сборки
MPN / артикул: MMBZ33VALT1G
Диод: TVS, сборка; 33В; 0,87А; 40Вт; двойной,общий анод; ESD; SOT23
Погрешность: ±5% · Количество каналов: 2 · Тип диода: TVS, сборка · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Максимальное обратное напряжение: 26 В · Тип товара: Диоды защитные - сборки
О модели
Описание
onsemi MMBZ33VALT1G. Категория: «Диоды защитные - сборки».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Погрешность — ±5%; Максимальное обратное напряжение — 26 В.
Конструкция диода — двойной; общий анод; Импульсный ток — 0,87А; Напряжение пробоя — 33В; Ток утечки — 50нА.
Количество каналов — 2; Тип диода — TVS, сборка; Версия — ESD; Рассеиваемая мощность в импульсе макс. — 40Вт.
Перед заказом проверьте артикул MMBZ33VALT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Погрешность
- ±5%
- Количество каналов
- 2
- Тип диода
- TVS, сборка
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Максимальное обратное напряжение
- 26 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MMBZ33VALT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
