onsemi
· Полупроводники
onsemi MMBTA13LT1G — Транзисторы Дарлингтона NPN SMD
MPN / артикул: MMBTA13LT1G
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,3А; 0,225Вт
Ток коллектора: 0,3 А · Частота: 125000000 Гц · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Корпус: TO236AB · Тип транзистора: NPN · Тип товара: Транзисторы Дарлингтона NPN SMD
О модели
Описание
onsemi MMBTA13LT1G. Категория: «Транзисторы Дарлингтона NPN SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; TO236AB; Частота — 125 МГц; Напряжение коллектор-эмиттер — 30В.
Ток коллектора — 0,3 А; Тип транзистора — NPN; Рассеиваемая мощность — 0,225Вт; Полярность — биполярный.
Вид транзистора — Дарлингтон.
Перед заказом проверьте артикул MMBTA13LT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,3 А
- Частота
- 125000000 Гц
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23, TO236AB
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MMBTA13LT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
