О модели
Описание
onsemi MMBT5551LT3G — транзистор.
Тип транзистора — NPN; Ток коллектора — 0,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; TO236AB.
Напряжение коллектор-эмиттер — 160В; Коэффициент усиления по току — 80...250; Рассеиваемая мощность — 0,225/0,3Вт; Полярность — биполярный.
Перед заказом проверьте артикул MMBT5551LT3G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23, TO236AB
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MMBT5551LT3G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
