О модели
Описание
onsemi MJD112T4G. Категория: «Транзисторы Дарлингтона NPN SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 100В; Ток коллектора — 2 А.
Тип транзистора — NPN; Рассеиваемая мощность — 1,75Вт; Полярность — биполярный; Вид транзистора — Дарлингтон.
Перед заказом проверьте артикул MJD112T4G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MJD112T4G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
