onsemi · Полупроводники

onsemi MJD112-1G — Транзисторы Дарлингтона NPN THT

MPN / артикул: MJD112-1G

Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 2А; 1,75Вт; IPAK

Производитель автоматикиonsemi
АртикулMJD112-1G
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 2 А · Монтаж: THT · Корпус: IPAK · Тип транзистора: NPN · Тип товара: Транзисторы Дарлингтона NPN THT

Фото товара

onsemi MJD112-1G — Транзисторы Дарлингтона NPN THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi MJD112-1G. Категория: «Транзисторы Дарлингтона NPN THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — IPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 100В; Коэффициент усиления по току — 100...12000.

Ток коллектора — 2 А; Тип транзистора — NPN; Рассеиваемая мощность — 1,75Вт; Полярность — биполярный.

Вид транзистора — Дарлингтон.

Перед заказом проверьте артикул MJD112-1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
2 А
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Тип транзистора
NPN
Единица продажи
шт
Артикул производителя
MJD112-1G
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.