О модели
Описание
onsemi HGTD1N120BNS9A. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 2,7 А; Ток коллектора в импульсе — 6А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 60Вт.
Заряд затвора — 21нC.
Перед заказом проверьте артикул HGTD1N120BNS9A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 2,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- HGTD1N120BNS9A
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
