О модели
Описание
onsemi FQD9N25TM-F080 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 250В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,42Ом; Рассеиваемая мощность — 55Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 20нC; Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Ток стока в импульсном режиме — 29,6А.
Перед заказом проверьте артикул FQD9N25TM-F080, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQD9N25TM-F080
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
