О модели
Описание
onsemi FQD8P10TM. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -4,2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 530мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 44Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 15нC; Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул FQD8P10TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQD8P10TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
