onsemi · Полупроводники

onsemi FQD6N50CTM — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: FQD6N50CTM

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,7А; Idm: 18А; 61Вт; DPAK

Производитель автоматикиonsemi
АртикулFQD6N50CTM
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 2,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

onsemi FQD6N50CTM — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi FQD6N50CTM — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,7 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.

Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,2Ом; Рассеиваемая мощность — 61Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 25нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 18А.

Перед заказом проверьте артикул FQD6N50CTM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
2,7 А
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
FQD6N50CTM
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.