О модели
Описание
onsemi FQD4N20TM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,95 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 30Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 6,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 12А.
Перед заказом проверьте артикул FQD4N20TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,95 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQD4N20TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
