О модели
Описание
onsemi FQD1N80TM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,63 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 20Ом; Рассеиваемая мощность — 45Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 7,2нC; Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул FQD1N80TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,63 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQD1N80TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
