О модели
Описание
onsemi FQD19N10LTM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9,8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,11Ом; Рассеиваемая мощность — 50Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 18нC; Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул FQD19N10LTM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 9,8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQD19N10LTM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
