О модели
Описание
onsemi FQD17N08LTM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8,2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,115Ом; Рассеиваемая мощность — 40Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 11,5нC; Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 51,6А.
Перед заказом проверьте артикул FQD17N08LTM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8,2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQD17N08LTM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
