О модели
Описание
onsemi FQB55N10TM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 38,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 26мОм; Рассеиваемая мощность — 155Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 98нC; Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Перед заказом проверьте артикул FQB55N10TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 38,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQB55N10TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
