О модели
Описание
onsemi FQB4N80TM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,47 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,6Ом; Рассеиваемая мощность — 130Вт; Полярность — полевой.
Технология — QFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул FQB4N80TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,47 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FQB4N80TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
