О модели
Описание
onsemi FGD3050G2. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 500В; Напряжение затвор - эмиттер — ±10В.
Ток коллектора — 27 А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Версия — ESD.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 22нC.
Перед заказом проверьте артикул FGD3050G2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 27 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FGD3050G2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
