О модели
Описание
onsemi FGA40T65SHD. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO3P; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 40 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 134Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 72,2нC.
Перед заказом проверьте артикул FGA40T65SHD, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 40 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO3P
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FGA40T65SHD
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
