О модели
Описание
onsemi FDS86267P. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -150В; Ток стока — -2,2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 255мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 11нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В; Ток стока в импульсном режиме — -34А.
Перед заказом проверьте артикул FDS86267P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDS86267P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
