О модели
Описание
onsemi FDS6675BZ. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -11А.
Сопротивление в открытом состоянии — 21,8мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 35нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Перед заказом проверьте артикул FDS6675BZ, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDS6675BZ
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
