onsemi · Полупроводники

onsemi FDP80N06 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: FDP80N06

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 65А; Idm: 320А; 176Вт; TO220-3

Производитель автоматикиonsemi
АртикулFDP80N06
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 65 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

onsemi FDP80N06 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi FDP80N06 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 65 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.

Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 10мОм; Рассеиваемая мощность — 176Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 74нC; Технология — DMOS; UniFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 320А.

Перед заказом проверьте артикул FDP80N06, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
65 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
FDP80N06
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.