onsemi
· Полупроводники
onsemi FDN5618P — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: FDN5618P
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; 0,46Вт; SuperSOT-3
Монтаж: SMD · Корпус: SuperSOT-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
onsemi FDN5618P. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SuperSOT-3; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -1,25А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,23Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,46Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 13,8нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул FDN5618P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SuperSOT-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDN5618P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
