onsemi
· Полупроводники
onsemi FDN359AN — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: FDN359AN
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Ток стока: 2,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: SuperSOT-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
onsemi FDN359AN — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SuperSOT-3.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 75мОм; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 7нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул FDN359AN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SuperSOT-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDN359AN
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
