onsemi
· Полупроводники
onsemi FDN302P — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: FDN302P
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Монтаж: SMD · Корпус: SuperSOT-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
onsemi FDN302P. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SuperSOT-3; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -2,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 84мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 14нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул FDN302P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SuperSOT-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDN302P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
