onsemi
· Полупроводники
onsemi FDMS3660S — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: FDMS3660S
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 30/60А; 2,2/2,5Вт; PQFN8
Монтаж: SMD · Корпус: PQFN8 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
onsemi FDMS3660S. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PQFN8; Напряжение сток-исток — 30/30В; Ток стока — 30/60А.
Сопротивление в открытом состоянии — 11/2,6мОм; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 2,2/2,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 29/87нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20/±12В.
Перед заказом проверьте артикул FDMS3660S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PQFN8
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDMS3660S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
