onsemi · Полупроводники

onsemi FDMA291P — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: FDMA291P

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET

Производитель автоматикиonsemi
АртикулFDMA291P
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: MicroFET · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

onsemi FDMA291P — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi FDMA291P. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — MicroFET; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -6,6А.

Сопротивление в открытом состоянии — 98мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,4Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 14нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.

Перед заказом проверьте артикул FDMA291P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
FDMA291P
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.