О модели
Описание
onsemi FDG6304P. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SC88; SOT363; Напряжение сток-исток — -25В; Ток стока — -0,41А.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,9Ом; Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,3Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,5нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул FDG6304P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SC88, SOT363
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDG6304P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
