onsemi FDG6303N — Транзисторы многоканальные
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 500мА; Idm: 1,3А; 0,3Вт
Ток стока: 0,5 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Корпус: SC88 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
Описание
onsemi FDG6303N. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SC88; SOT363; Напряжение сток-исток — 25В; Ток стока — 0,5 А.
Сопротивление в открытом состоянии — 770мОм; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,3Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 2,3нC; Технология — DMOS; Вид канала — обогащенный.
Ток стока в импульсном режиме — 1,3А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SC88, SOT363
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDG6303N
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
