onsemi
· Полупроводники
onsemi FDC658AP — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: FDC658AP
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Монтаж: SMD · Корпус: SuperSOT-6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
onsemi FDC658AP. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SuperSOT-6; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 75мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,6Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 8,1нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±25В.
Перед заказом проверьте артикул FDC658AP, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SuperSOT-6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDC658AP
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
