onsemi
· Полупроводники
onsemi FDC655BN — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: FDC655BN
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Ток стока: 6,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: SuperSOT-6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
onsemi FDC655BN — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SuperSOT-6.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 36мОм; Рассеиваемая мощность — 1,6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 13нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул FDC655BN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SuperSOT-6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDC655BN
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
