onsemi · Полупроводники

onsemi FDB86102LZ — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: FDB86102LZ

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 50А; 3,1Вт; D2PAK

Производитель автоматикиonsemi
АртикулFDB86102LZ
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

onsemi FDB86102LZ — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi FDB86102LZ — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 30 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.

Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 42мОм; Рассеиваемая мощность — 3,1Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 21нC; Технология — UniFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 50А.

Перед заказом проверьте артикул FDB86102LZ, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
30 А
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
FDB86102LZ
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.