onsemi
· Полупроводники
onsemi FDB15N50 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: FDB15N50
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 11А; 300Вт; D2PAK
Ток стока: 11 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
onsemi FDB15N50 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,33Ом; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой.
Технология — UniFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул FDB15N50, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 11 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDB15N50
Материалы
Документация
Техническое описание: FDB15N50EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
