О модели
Описание
onsemi FDB12N50TM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,65Ом; Рассеиваемая мощность — 165Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 30нC; Технология — DMOS; UniFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Ток стока в импульсном режиме — 46А.
Перед заказом проверьте артикул FDB12N50TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FDB12N50TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
