onsemi · Полупроводники

onsemi FDB0190N807L — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: FDB0190N807L

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт; D2PAK-6

Производитель автоматикиonsemi
АртикулFDB0190N807L
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 190 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK-6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

onsemi FDB0190N807L — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi FDB0190N807L — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 190 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK-6.

Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 4,3мОм; Рассеиваемая мощность — 250Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 249нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 1,44кА.

Перед заказом проверьте артикул FDB0190N807L, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
190 А
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-6
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
FDB0190N807L
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.