onsemi · Полупроводники

onsemi FDA28N50 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: FDA28N50

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; Idm: 112А; 310Вт; TO3PN

Производитель автоматикиonsemi
АртикулFDA28N50
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 17 А · Монтаж: THT · Корпус: TO3PN · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

onsemi FDA28N50 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi FDA28N50 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 17 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO3PN.

Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 155мОм; Рассеиваемая мощность — 310Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 105нC; Технология — DMOS; UniFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.

Ток стока в импульсном режиме — 112А.

Перед заказом проверьте артикул FDA28N50, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
17 А
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
FDA28N50
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.