onsemi · Полупроводники

onsemi FDA16N50-F109 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: FDA16N50-F109

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN

Производитель автоматикиonsemi
АртикулFDA16N50-F109
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 9,9 А · Монтаж: THT · Корпус: TO3PN · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

onsemi FDA16N50-F109 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi FDA16N50-F109 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9,9 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO3PN.

Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,38Ом; Рассеиваемая мощность — 205Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 45нC; Технология — UniFET™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.

Ток стока в импульсном режиме — 66А.

Перед заказом проверьте артикул FDA16N50-F109, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
9,9 А
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
FDA16N50-F109
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.