О модели
Описание
onsemi FCB11N60TM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,38Ом; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 52нC; Технология — SuperFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Ток стока в импульсном режиме — 33А.
Перед заказом проверьте артикул FCB11N60TM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FCB11N60TM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
