О модели
Описание
onsemi EMG2DXV5T5G — транзистор.
Тип транзистора — NPN x2; Ток коллектора — 0,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT553.
Конструкция диода — общий эмиттер; Напряжение коллектор-эмиттер — 50В; Коэффициент усиления по току — 80...140; Рассеиваемая мощность — 0,23Вт.
Полярность — биполярный; Вид транзистора — BRT; резистор базы — 47кОм; резистор эмиттер - база — 47кОм.
Перед заказом проверьте артикул EMG2DXV5T5G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT553
- Тип транзистора
- NPN x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- EMG2DXV5T5G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
