О модели
Описание
onsemi EMD4DXV6T1G. Категория: «Комплементарные пары транзисторов».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT553; Напряжение коллектор-эмиттер — 50В; Коэффициент усиления по току — 80...140.
Ток коллектора — 0,1 А; Тип транзистора — NPN / PNP; Рассеиваемая мощность — 357/500мВт; Полярность — биполярный.
Вид транзистора — BRT; дополнительная пара; резистор базы — 10/47кОм.
Перед заказом проверьте артикул EMD4DXV6T1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT553
- Тип транзистора
- NPN / PNP
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- EMD4DXV6T1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
