onsemi
· Интегральные микросхемы
onsemi CAT25512VI-GT3 — Памяти EEPROM последовательные
MPN / артикул: CAT25512VI-GT3
IC: память EEPROM; 512кбEEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; SO8
Тип микросхемы: память EEPROM · Интерфейс: SPI · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Памяти EEPROM последовательные
О модели
Описание
onsemi CAT25512VI-GT3. Категория: «Памяти EEPROM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Рабочее напряжение — 1,8...5,5В; Тип микросхемы — память EEPROM.
Интерфейс — SPI; Вид памяти — EEPROM; Структура памяти — 64Кx8бит; Виды интерфейса — последовательный.
Память — 512кб EEPROM.
Перед заказом проверьте артикул CAT25512VI-GT3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память EEPROM
- Интерфейс
- SPI
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CAT25512VI-GT3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
